“这是刚刚生产的2寸和4寸氮化镓外延片样品，我们可提供业界高标准的氮化镓外延片，现在正在试生产和产品认证中，正式投产后，可实现月生产2500片的产能。”近日，在辽宁百思特达半导体科技有限公司产品展示大厅，生产中心副总廖家明向大家介绍。

氮化镓属于第三代半导体材料，对比硅材料优势很明显，由氮化镓制成的器件，功率是硅的900倍，禁带宽带比硅高出3倍左右，击穿场强也高于硅11倍。此外，氮化镓还有体积小、散热快、传输速率高等优点。百思特达是2019年兴隆台区和盘锦高新区共同引进的高新技术产业项目。该公司主要研发生产氮化镓晶圆及氮化镓基芯片系列产品，已进入试生产阶段。

换上鞋套，沿走廊前行数十米便来到了MOCVD外延炉车间，在这里通过有机金属化学气相沉积法，使制程气体氨气和有机金属源——三甲基镓产生化学反应，生成氮化镓晶体，并将晶体堆叠到蓝宝石底片上，制成氮化镓外延片。廖家明说，氮化镓外延片经过加工，可制成大小不同的芯片，芯片封装后，就能作为产品元器件广泛应用。目前，风力发电、光电、电动汽车等领域，这种氮化镓芯片使用率很高，产品供不应求，特别是5G基站建设，更需求大量这种高频传输的芯片。

综合管理部部长李婷表示，百思特达已经建成并投产使用外延车间，芯片车间和封装车间正在建设当中。公司占地面积125亩，有足够的空间引进上下游企业，形成完整的产业链。待公司正式投产运营后，将进一步对接引进相关企业，形成上下游互通的产业布局。“未来，辽宁百思特达半导体科技有限公司将成为中国东北地区规模最大全产业链的以氮化镓芯片研发、生产为一体的高新技术企业，达产后，产品将远销北美、欧洲、中东及东南亚，年产值4亿元左右，解决就业200余人。”李婷说。（